小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個(gè)2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩(wěn)定。可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。
小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個(gè)2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩(wěn)定。可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù)：
設(shè)備名稱 | 分體式單靶磁控濺射儀 |
電源 | AC220V/50HZ |
射頻電源（選配） | 輸入電源：220V |
輸入功率：0-300W | |
輸入頻率：13.56MHZ | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
直流電源（選配） | 輸入電源：220V |
直流輸出功率：0-500W | |
最大工作電流：0.75A | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
石英腔室 | 石英罩：167mm OD×152mm ID×250mm |
下法蘭蓋為304不銹鋼材質(zhì)，上法蘭蓋為鋁材質(zhì) | |
腔室極限真空度 | |
配置機(jī)械泵<1pa（7.5*10-2torr） | |
配置分子泵<5*10-3pa（3.7*10-5torr） | |
法蘭蓋上帶有手動(dòng)泄壓閥 | |
樣品臺(tái) | 一個(gè)直徑為?50mm的不銹鋼樣品臺(tái)，樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速率為0.5-5RPM/min |
樣品臺(tái)標(biāo)配加熱功能，樣品臺(tái)最高加熱溫度500℃ | |
可以根據(jù)客戶需要選配樣品臺(tái)冷卻功能，樣品臺(tái)冷卻最低溫度5℃ | |
濺射靶頭 | 標(biāo)配2尺寸的磁控濺射頭，內(nèi)部嵌有冷卻水管，可以通水冷實(shí)現(xiàn)對(duì)磁鋼和靶材的冷卻，從而能夠可以長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行濺射 |
配有一手動(dòng)操作的擋板，當(dāng)?shù)谝淮螢R射清楚靶材表面的氧化層和污物層，擋住基片，防止污染基片 | |
樣品臺(tái)和靶頭之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍60-80mm（可根據(jù)客戶要求選配1英寸的磁控濺射頭） | |
靶材 | 設(shè)備配有一塊銅靶材，尺寸：?50.8mm（2”）×3mm（厚度）（可根據(jù)客戶要求選配其他靶材：Al，Cr，Ni，Pt，Ti，Sn等） |
要求靶材尺寸：?50.8mm×0.1-5mm（厚度） | |
外形尺寸 | 主機(jī)尺寸：460L×300W×715Hmm |
重量 | 20KG |
保質(zhì)期 | 1年（不包含噴頭、加熱元件、注射器等損耗件） |
小型磁控濺射儀通常采用磁控濺射技術(shù)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。其核心部件包括濺射靶材、磁場(chǎng)系統(tǒng)、真空室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等。在濺射過程中，通過調(diào)整磁場(chǎng)、氣體壓力和濺射功率等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。
小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個(gè)2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩(wěn)定。可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù)：
設(shè)備名稱 | 分體式單靶磁控濺射儀 |
電源 | AC220V/50HZ |
射頻電源（選配） | 輸入電源：220V |
輸入功率：0-300W | |
輸入頻率：13.56MHZ | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
直流電源（選配） | 輸入電源：220V |
直流輸出功率：0-500W | |
最大工作電流：0.75A | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
石英腔室 | 石英罩：167mm OD×152mm ID×250mm |
下法蘭蓋為304不銹鋼材質(zhì)，上法蘭蓋為鋁材質(zhì) | |
腔室極限真空度 | |
配置機(jī)械泵<1pa（7.5*10-2torr） | |
配置分子泵<5*10-3pa（3.7*10-5torr） | |
法蘭蓋上帶有手動(dòng)泄壓閥 | |
樣品臺(tái) | 一個(gè)直徑為?50mm的不銹鋼樣品臺(tái)，樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速率為0.5-5RPM/min |
樣品臺(tái)標(biāo)配加熱功能，樣品臺(tái)最高加熱溫度500℃ | |
可以根據(jù)客戶需要選配樣品臺(tái)冷卻功能，樣品臺(tái)冷卻最低溫度5℃ | |
濺射靶頭 | 標(biāo)配2尺寸的磁控濺射頭，內(nèi)部嵌有冷卻水管，可以通水冷實(shí)現(xiàn)對(duì)磁鋼和靶材的冷卻，從而能夠可以長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行濺射 |
配有一手動(dòng)操作的擋板，當(dāng)?shù)谝淮螢R射清楚靶材表面的氧化層和污物層，擋住基片，防止污染基片 | |
樣品臺(tái)和靶頭之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍60-80mm（可根據(jù)客戶要求選配1英寸的磁控濺射頭） | |
靶材 | 設(shè)備配有一塊銅靶材，尺寸：?50.8mm（2”）×3mm（厚度）（可根據(jù)客戶要求選配其他靶材：Al，Cr，Ni，Pt，Ti，Sn等） |
要求靶材尺寸：?50.8mm×0.1-5mm（厚度） | |
外形尺寸 | 主機(jī)尺寸：460L×300W×715Hmm |
重量 | 20KG |
保質(zhì)期 | 1年（不包含噴頭、加熱元件、注射器等損耗件） |
小型磁控濺射儀通常采用磁控濺射技術(shù)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。其核心部件包括濺射靶材、磁場(chǎng)系統(tǒng)、真空室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等。在濺射過程中，通過調(diào)整磁場(chǎng)、氣體壓力和濺射功率等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。
小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個(gè)2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩(wěn)定。可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù)：
設(shè)備名稱 | 分體式單靶磁控濺射儀 |
電源 | AC220V/50HZ |
射頻電源（選配） | 輸入電源：220V |
輸入功率：0-300W | |
輸入頻率：13.56MHZ | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
直流電源（選配） | 輸入電源：220V |
直流輸出功率：0-500W | |
最大工作電流：0.75A | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
石英腔室 | 石英罩：167mm OD×152mm ID×250mm |
下法蘭蓋為304不銹鋼材質(zhì)，上法蘭蓋為鋁材質(zhì) | |
腔室極限真空度 | |
配置機(jī)械泵<1pa（7.5*10-2torr） | |
配置分子泵<5*10-3pa（3.7*10-5torr） | |
法蘭蓋上帶有手動(dòng)泄壓閥 | |
樣品臺(tái) | 一個(gè)直徑為?50mm的不銹鋼樣品臺(tái)，樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速率為0.5-5RPM/min |
樣品臺(tái)標(biāo)配加熱功能，樣品臺(tái)最高加熱溫度500℃ | |
可以根據(jù)客戶需要選配樣品臺(tái)冷卻功能，樣品臺(tái)冷卻最低溫度5℃ | |
濺射靶頭 | 標(biāo)配2尺寸的磁控濺射頭，內(nèi)部嵌有冷卻水管，可以通水冷實(shí)現(xiàn)對(duì)磁鋼和靶材的冷卻，從而能夠可以長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行濺射 |
配有一手動(dòng)操作的擋板，當(dāng)?shù)谝淮螢R射清楚靶材表面的氧化層和污物層，擋住基片，防止污染基片 | |
樣品臺(tái)和靶頭之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍60-80mm（可根據(jù)客戶要求選配1英寸的磁控濺射頭） | |
靶材 | 設(shè)備配有一塊銅靶材，尺寸：?50.8mm（2”）×3mm（厚度）（可根據(jù)客戶要求選配其他靶材：Al，Cr，Ni，Pt，Ti，Sn等） |
要求靶材尺寸：?50.8mm×0.1-5mm（厚度） | |
外形尺寸 | 主機(jī)尺寸：460L×300W×715Hmm |
重量 | 20KG |
保質(zhì)期 | 1年（不包含噴頭、加熱元件、注射器等損耗件） |
小型磁控濺射儀通常采用磁控濺射技術(shù)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。其核心部件包括濺射靶材、磁場(chǎng)系統(tǒng)、真空室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等。在濺射過程中，通過調(diào)整磁場(chǎng)、氣體壓力和濺射功率等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。
小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個(gè)2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩(wěn)定。可用于制備高質(zhì)量的金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復(fù)合薄膜、多層異質(zhì)結(jié)等，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù)：
設(shè)備名稱 | 分體式單靶磁控濺射儀 |
電源 | AC220V/50HZ |
射頻電源（選配） | 輸入電源：220V |
輸入功率：0-300W | |
輸入頻率：13.56MHZ | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
直流電源（選配） | 輸入電源：220V |
直流輸出功率：0-500W | |
最大工作電流：0.75A | |
冷卻方式：設(shè)備內(nèi)部的冷卻方式為風(fēng)冷 | |
石英腔室 | 石英罩：167mm OD×152mm ID×250mm |
下法蘭蓋為304不銹鋼材質(zhì)，上法蘭蓋為鋁材質(zhì) | |
腔室極限真空度 | |
配置機(jī)械泵<1pa（7.5*10-2torr） | |
配置分子泵<5*10-3pa（3.7*10-5torr） | |
法蘭蓋上帶有手動(dòng)泄壓閥 | |
樣品臺(tái) | 一個(gè)直徑為?50mm的不銹鋼樣品臺(tái)，樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)，旋轉(zhuǎn)速率為0.5-5RPM/min |
樣品臺(tái)標(biāo)配加熱功能，樣品臺(tái)最高加熱溫度500℃ | |
可以根據(jù)客戶需要選配樣品臺(tái)冷卻功能，樣品臺(tái)冷卻最低溫度5℃ | |
濺射靶頭 | 標(biāo)配2尺寸的磁控濺射頭，內(nèi)部嵌有冷卻水管，可以通水冷實(shí)現(xiàn)對(duì)磁鋼和靶材的冷卻，從而能夠可以長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行濺射 |
配有一手動(dòng)操作的擋板，當(dāng)?shù)谝淮螢R射清楚靶材表面的氧化層和污物層，擋住基片，防止污染基片 | |
樣品臺(tái)和靶頭之間的距離可以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍60-80mm（可根據(jù)客戶要求選配1英寸的磁控濺射頭） | |
靶材 | 設(shè)備配有一塊銅靶材，尺寸：?50.8mm（2”）×3mm（厚度）（可根據(jù)客戶要求選配其他靶材：Al，Cr，Ni，Pt，Ti，Sn等） |
要求靶材尺寸：?50.8mm×0.1-5mm（厚度） | |
外形尺寸 | 主機(jī)尺寸：460L×300W×715Hmm |
重量 | 20KG |
保質(zhì)期 | 1年（不包含噴頭、加熱元件、注射器等損耗件） |
小型磁控濺射儀通常采用磁控濺射技術(shù)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、操作簡(jiǎn)便、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。其核心部件包括濺射靶材、磁場(chǎng)系統(tǒng)、真空室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等。在濺射過程中，通過調(diào)整磁場(chǎng)、氣體壓力和濺射功率等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。
