CVD石墨烯生長爐

CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、使用時把金屬箔附在內管上。其最高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。

石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統+供氣系統+水冷系統組成 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。

石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(化學氣相沉積系統)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。

HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。

真空管式爐軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。

石墨烯生長爐標準配件：

質子混氣系統1臺、雙旋機械泵1臺、水冷系統1臺、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個、說明書1份.

CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、使用時把金屬箔附在內管上。其最高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。

石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統+供氣系統+水冷系統組成 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。

石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(化學氣相沉積系統)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。

HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。

真空管式爐軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。

石墨烯生長爐標準配件：

質子混氣系統1臺、雙旋機械泵1臺、水冷系統1臺、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個、說明書1份.